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第419章 第六号元素的提取与暗影渗透(2/9)

“将目光转向元素周期表上的第十四号元素——硅。”

“硅,地壳中丰度第二高的元素。

遍地都是的石英砂就是它的氧化物。

最关键的是,硅的禁带宽度达到了一点一二电子伏特。

这零点四六电子伏特的差距,赋予了它优异的热稳定性。

它能够承受两百摄氏度以上的高温而不失去半导体开关特性。”

赵广陵的语气变得严峻。

“但大自然在赋予硅高温稳定性的同时,也为它的提纯和单晶拉制,设置了残酷的门槛。

它的熔点,比锗高了将近五百摄氏度。”

这五百摄氏度的温差,在大西北的半导体实验厂内,演变成了一场灾难性的流体力学和材料学对抗。

特种半导体材料第一实验厂。

清晨六点。

供电局调度中心按照最高优先级的配电指令,将一股高压交流电专线接入了实验厂后方的变压器阵列。

在单晶拉制车间内,环境被严格控制在十万级无尘标准。

任何直径大于一微米的悬浮颗粒物都被强力换气系统阻挡在气闸室之外。

车间中央,矗立着一台高达三米的直拉法单晶炉。

这台设备的结构充满了冰冷的工业重力感。

炉体由双层不锈钢水冷夹套构成。

为了带走内部产生的庞大热辐射,粗大的水泵将冰冷的去离子水持续不断地压入夹套内部进行循环。

操作员穿戴着全封闭的白色防静电服,戴着防毒面罩,开始执行严格的抽真空作业。

“开启粗抽阀门。

机械旋片泵启动。”

巨大的电机轰鸣声响起。

旋片在泵腔内高速旋转,将炉腔内的空气大量排出。

当压力下降到一定程度后,机械增压泵和油扩散泵依次串联启动。

油扩散泵底部的加热器将特种泵油煮沸,高速喷出的油蒸汽分子将炉腔内残余的气体分子死死捕获并带向排气口。

“炉腔真空度达到十的负三次帕斯卡。

漏率测试合格。”操作员盯着真空计的指针汇报道。

“关闭排气阀。

开始注入保护气体。

高纯度氩气流量设定每分钟五升。”

氩气,这种绝对惰性的单原子气体,顺着管路缓慢注入炉腔。

它将整个拉晶环境填充为一个绝对没有氧气、氮气参与的化学隔离区,防止高温下的硅发生剧烈氧化。

“炉压恢复至零点五大气压。

启动射频发生器。

加热功率输出百分之六十。”

在单晶炉的外部,环绕着几圈粗大的紫铜感应线圈。

强大的高频交变电流涌入线圈。

根据法拉第电磁感应定律,交变磁场无视了不锈钢外壳的阻挡,直接穿透进去,在炉腔内部的高纯石墨发热体上产生了强烈的电涡流。

焦耳热在石墨内部迅速汇聚。
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